2024年11月1日
三星电子计划在2025年初引入其首款High NA EUV(极紫外)光刻机设备,这一举措可能标志着三星在先进半导体制造领域取得重大进展。ASML提供的High NA EUV光刻机对于2nm以下更先进制程的工艺至关重要。三星此前设定了到2027年实现1.4nm工艺商业化的目标,并计划加快1nm芯片商业化的开发工作。High NA EUV光刻机的引入将使三星能够创建更精细的电路设计,适用于5nm以下的芯片,如CPU和GPU等系统半导体,提高性能并降低生产成本。三星首款High NA EUV设备——ASML的EXE:5000型号预计将于2025年初上市,第二季度投入运营。
长飞先进武汉碳化硅基地项目有了新的进展,设备将于11月开始进驻厂房,明年年初进行调试,预计在2025年5月实现量产。该项目总投资超过200亿元,一期投资80亿元,计划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。第三代化合物半导体,尤其是碳化硅,因其耐高温、耐高压、高频化、低损耗等特性,在新能源汽车、风光储、电网、智能驾驶、5G等领域得到广泛应用。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测,到2028年全球SiC功率器件市场规模有望达到91.7亿美元。
波士顿动力公司发布了最新版本的人形机器人Atlas的演示视频,展示了其在模拟工厂环境中执行分拣任务的能力。视频中,Atlas展示了其利用机器学习和升级后的传感器来识别和搬运零部件的能力。Atlas能够根据提供的料箱位置列表,借助多种传感器和机器学习模型判断料箱的准确位置,并精确调整身体、手臂和三指手爪来抓取和搬运零部件。视频强调了Atlas在极少人为干预下完成复杂任务的能力,这表明波士顿动力公司在人形机器人技术方面取得了显著进展。
三星在最近的电话财报会议中宣布,计划在2025年正式推出备受期待的XR头显。这款头显是与谷歌和高通合作研发的成果。尽管三星没有透露更多细节,但此前曾表示设备原计划在2024年上市,现在推迟至2025年。三星还提到了新推出的Galaxy Ring与XR设备之间的联系,强调通过Galaxy Ring为扩大三星健康生态系统做出贡献,并加强与未来XR设备等产品的连接体验。
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