内存墙:DRAM的过去、现在和未来

阿里云创新中心> 创业资讯> 内存墙:DRAM的过去、现在和未来
0
0

内存墙:DRAM的过去、现在和未来

齐思GPT 2024-09-06 00:00:00 645
这篇内容深入探讨了DRAM(动态随机存取存储器)技术面临的挑战和未来发展,突出了与逻辑芯片相比DRAM缩放的减速。
这篇内容深入探讨了DRAM(动态随机存取存储器)技术面临的挑战和未来发展,突出了与逻辑芯片相比DRAM缩放的减速。文章讨论了对于AI加速器而言高带宽内存(HBM)的重要性,以及FeRAM和MRAM等新兴存储技术的潜力。一个关键点是计算内存(CIM)的概念,通过在内存芯片上直接集成控制逻辑来增强DRAM性能。文章还涉及了3D DRAM技术的光明未来以及对存储行业的影响。这篇文章对于那些对存储技术的技术演进及其对计算的影响感兴趣的人尤为重要,特别是在人工智能领域。-DRAM缩放在过去十年中已经放缓,导致密度增长放缓。 -逻辑芯片每晶体管的代价有所下降,而DRAM的价格仅略有下降。 -高带宽记忆(HBM)是昂贵的,但对于具有竞争力的加速器封装来说是必要的。 -DRAM行业在提高带宽、容量、代价和电力使用方面面临挑战。 -短期解决方案包括扩展HBM路线图和实施垂直通道晶体管(VCT)。 -不同类型的记忆,如DDR5、LPDDR5X、GDDR6X和HBM3/E,具有不同的特性和用途。 -HBM3E对人工智能加速器很有价值,但价格昂贵且难以扩展。 -FeRAM和MRAM等新兴存储器显示出前景,但在代价和可扩展性方面面临挑战。 -记忆计算(CIM)可以通过移动芯片上的控制逻辑来提高DRAM的性能。 -由于接口和控制逻辑的限制,DRAM组具有未开发的性能潜力。 -改进记忆接口可以提高吞吐量并降低能耗。 -UCIe和Nulink是可以提高记忆接口性能的标准。 -在DRAM芯片中添加逻辑是可行的,特别是在HBM和未来的3D DRAM技术中。 -HBM4和未来的迭代可以结合改进的基芯片和接口,以获得更好的性能。 -DRAM中采用3D技术将给行业带来重大变化。
版权声明: 创新中心创新赋能平台中,除来源为“创新中心”的文章外,其余转载文章均来自所标注的来源方,版权归原作者或来源方所有,且已获得相关授权,若作者版权声明的或文章从其它站转载而附带有原所有站的版权声明者,其版权归属以附带声明为准。其他任何单位或个人转载本网站发表及转载的文章,均需经原作者同意。如果您发现本平台中有涉嫌侵权的内容,可填写「投诉表单」进行举报,一经查实,本平台将立刻删除涉嫌侵权内容。

评论

登录后可评论
AI助理
登录插画

登录以查看您的控制台资源

管理云资源
状态一览
快捷访问

你好,我是AI助理

可以解答问题、推荐解决方案等