一项封装技术,成就HBM龙头

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一项封装技术,成就HBM龙头

阎荟 2024-08-05 00:00:00 377
SK Hynix通过开发MR-MUF封装技术在记忆技术领域取得了重大进展,该技术旨在增强高性能记忆产品的散热能力。
SK Hynix通过开发MR-MUF封装技术在记忆技术领域取得了重大进展,该技术旨在增强高性能记忆产品的散热能力。这一创新尤为引人注目,因为它解决了密集堆叠芯片中的热管理关键问题,这一挑战随着高带宽内存(HBM)产品的兴起变得日益突出。MR-MUF技术以其使用高导热材料EMC填充芯片间隙的方式脱颖而出,从而促进更好的热传递。这导致了对其HBM2E和HBM3E产品散热性能的显著改善。此外,计划于2025年开始使用该技术大规模生产HBM4产品,标志着SK Hynix的重要里程碑,有望将其定位为HBM市场的领导者。对于那些对记忆技术和热管理解决方案的最新发展感兴趣的人来说,本内容为他们提供了有关SK Hynix创新方法及其对高性能计算未来的影响的宝贵见解。- SK海力士开发了一种名为MR-MUF的新型封装技术,用于改善存储器产品的散热性能。 - MR-MUF技术被应用于HBM产品,使其在市场竞争中脱颖而出。 - MR-MUF技术采用了环氧树脂模塑料(EMC)作为填充材料,提高了散热性能。 - MR-MUF技术使HBM2E的散热性能提高了36%,HBM3E的散热性能提高了10%。 - SK海力士计划将下一代HBM4产品的量产提前至2025年。
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